产品简介

立式管式炉应用于高等院校、科研院所、工厂企业、石油化工、航空航天等行业的金属材料、陶瓷材料、纳米材料、半导体材料、粉末冶金等新材料领域的烧结和高温热处理。

一、核心结构

1. 炉体：双层风冷 / 水冷炉壳，外壳温度＜60℃，安全防烫；炉膛采用高纯氧化铝纤维，轻质保温、蓄热少。

2. 炉管（核心）：垂直贯穿炉膛，两端密封法兰，材质按需选：

• 石英管：≤1200℃，透明可视、化学惰性；

• 刚玉管（99 氧化铝）：1300–1600℃，耐高温、耐酸碱；

• 不锈钢管：≤1000℃，适用于氢气还原、金属退火。

3. 加热系统：加热元件分温区布置：

• 铁铬铝丝：≤1100℃；

• 硅碳棒：1200–1300℃（通用）；

• 硅钼棒：1500–1650℃（高温型）；

• 支持单 / 双 / 三温区独立控温，温场均匀性 ±1–5℃。

4. 温控系统：触屏 PID 程序控制，精度 ±1℃，支持 30–50 段升降温曲线；具备超温、断偶、漏电、气压超限报警，可电脑联机导出数据。

5. 气路 / 真空系统：KF 密封法兰，标配浮子流量计、压力表、进出气阀；可选机械泵（低真空 - 0.1MPa）、分子泵（高真空 10⁻³Pa）、混气柜、防爆模块（通 H₂）。

6. 安全防护：开门断电、超温报警、压力保护、漏电保护，全程安全联锁。

二、工作原理

三、核心优势

• 温场均匀：垂直结构减少热对流干扰，温差小，适合精密工艺。

• 空间高效：立式占地小，适配实验室与紧凑生产线。

• 能效更优：热量向上聚集，热损失少，空载能耗比卧式低 10%–15%。

• 工艺适配强：可通气氛 / 抽真空，兼容 CVD、晶体生长、粉体处理等特殊工艺。

• 操作便捷：顶部装样、底部出料，适配环状 / 片状 / 扁平工件摆放。

四、立式管式炉技术参数（常规参考）

• 额定温度：1000℃/1200℃/1600℃/1800℃（可选）。

• 控温精度：±1℃，温区均匀性 ±1–5℃。

• 升温速率：10–30℃/min（推荐≤10℃/min，防热冲击）。

• 炉管规格：直径 φ25–φ200mm，长度 500–2000mm（可定制）。

• 真空度：低真空 - 0.1MPa，高真空 10⁻³–10⁻⁵Pa。

• 气氛类型：空气、Ar、N₂、H₂、O₂、CH₄等。